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ZVN4206GV
TYPICAL CHARACTERISTICS
1000
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700
1000
900
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700
600
500
400
300
200
100
0
V DS= 10V
600
500
400
300
200
100
0
V DS= 10V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I D - Drain Current (Amps )
Transconductance v drain current
V GS -Gate Source Voltage (Volts)
Transconductance v gate-source voltage
V DS =
200
160
120
16
14
12
10
I D= 1.5A
20V 40V 60V
8
80
C iss
6
40
C oss
4
2
0
C rss
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
V DS -Drain Source Voltage (Volts)
Capacitance v drain-source voltage
T j - Junction Temperature (°C)
Maximum repetative avalanche energy
v Junction Temperature
Q-Charge (nC)
Gate charge v gate-source voltage
T j - Junction Temperature (°C)
Maximum repetative avalanche current
v Junction Temperature
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